[发明专利]固体摄像装置以及利用该固体摄像装置的摄像机无效

专利信息
申请号: 200810086315.7 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101276829A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 胜野元成;宫川良平;大规浩久 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/148
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的固体摄像装置具有多个单位像素,所述多个单位像素被形成在所述半导体衬底上的共用的阱上,并且包括第一单位像素以及第二单位像素这两种单位像素。所述第一单位像素包括:至少一个光电转换区域;第一半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相同;以及第一接点,与所述第一半导体区域电连接。所述第二单位像素包括:至少一个光电转换区域;第二半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相反;以及第二接点,与所述第二半导体区域电连接。
搜索关键词: 固体 摄像 装置 以及 利用 摄像机
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,包括在半导体衬底上被配置为矩阵状的多个单位像素,其特征在于,所述多个单位像素包括两种单位像素,即在所述半导体衬底的共用的阱的上部形成的第一单位像素以及第二单位像素;所述第一单位像素包括:至少一个光电转换区域,将光转换为信号电荷;第一半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相同;以及第一接点,与所述第一半导体区域电连接;所述第二单位像素包括:至少一个光电转换区域,将光转换为信号电荷;第二半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相反;以及第二接点,与所述第二半导体区域电连接。
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