[发明专利]固体摄像装置以及利用该固体摄像装置的摄像机无效
申请号: | 200810086315.7 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101276829A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 胜野元成;宫川良平;大规浩久 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的固体摄像装置具有多个单位像素,所述多个单位像素被形成在所述半导体衬底上的共用的阱上,并且包括第一单位像素以及第二单位像素这两种单位像素。所述第一单位像素包括:至少一个光电转换区域;第一半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相同;以及第一接点,与所述第一半导体区域电连接。所述第二单位像素包括:至少一个光电转换区域;第二半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相反;以及第二接点,与所述第二半导体区域电连接。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 利用 摄像机 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,包括在半导体衬底上被配置为矩阵状的多个单位像素,其特征在于,所述多个单位像素包括两种单位像素,即在所述半导体衬底的共用的阱的上部形成的第一单位像素以及第二单位像素;所述第一单位像素包括:至少一个光电转换区域,将光转换为信号电荷;第一半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相同;以及第一接点,与所述第一半导体区域电连接;所述第二单位像素包括:至少一个光电转换区域,将光转换为信号电荷;第二半导体区域,被形成在所述共用的阱上,且与所述共用的阱的导电型相反;以及第二接点,与所述第二半导体区域电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的