[发明专利]受光元件无效
| 申请号： | 200810086527.5 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101276822A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 长谷川昭博 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种受光元件，包括：第一受光区域，其形成于具有第一导电型的半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并输出与入射光对应的电流值的受光部；第二受光区域，其形成于上述半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并输出与入射光对应的电流值的受光部；和漏极区域，其形成于所述半导体基板上，且形成于所述第一受光区域与所述第二受光区域之间，并具有与上述第一导电型不同的第二导电型。由此，在具有多个受光区域的受光元件中，可以防止来自其他受光区域的噪声电荷向各受光区域的信号电荷的叠加，各受光区域可以生成正确的电流信号。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 | ||
【主权项】：
1、一种受光元件，包括：第一受光区域，其形成于具有第一导电型的半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并输出与入射光对应的电流值的受光部；第二受光区域，其形成于所述半导体基板上，至少具有一个被分割为多个区段并输出与入射光对应的电流值的受光部；和漏极区域，其形成于所述半导体基板上，且形成于所述第一受光区域与所述第二受光区域之间，具有与所述第一导电型不同的第二导电型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
