[发明专利]Ti膜及TiN膜的成膜方法以及接触结构

摘要

本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。

主权项

1.一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，是以在含Si的基板或在基板上形成的金属硅化物膜为衬底，在其上进行Ti膜及TiN膜的成膜的成膜方法，其特征在于，具备：清洁化所述衬底表面的工序；使用Ti化合物气体通过等离子体CVD在使所述基板温度为300～500℃下在所述衬底上进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜的工序；氮化所述Ti膜的工序；在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体与含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。