[发明专利]集成电路及其静电放电防护方法有效
| 申请号： | 200810087013.1 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101546769A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 邓志辉;张藤宝 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路，其包括第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其具有第一深N型井区与受该第一深N型井区的第一掺杂浓度影响的第一受控制路径；及第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其具有第二深N型井区与受该第二深N型井区的第二掺杂浓度影响的第二受控制路径，其中该第二受控制路径并联于该第一受控制路径，该第一受控制路径与该第二受控制路径具有相同的类型但具有不同的导通性质，且该类型为N型与P型的其中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 静电 放电 防护 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种集成电路，其特征在于，包含：一第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管，具有一第一深N型井区与受该第一深N型井区的第一掺杂浓度影响的一第一受控制路径；及一第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管，具有一第二深N型井区与受该第二深N型井区的第二掺杂浓度影响的一第二受控制路径，其中该第二受控制路径并联于该第一受控制路径，该第一受控制路径与该第二受控制路径具有相同的类型但具有不同的导通性质，且该类型为N型与P型的其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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