[发明专利]制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200810087100.7 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101311380A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 上野昌纪;斋藤雄 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制造III－V族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法。提供了一种制造III－V族化合物半导体的方法、肖特基势垒二极管、发光二极管、激光二极管和制作上述二极管的方法，它们可以实现n型载流子密度降低。制造III－V族化合物半导体的方法是采用含III族元素的材料，通过金属有机化学气相沉积制造化合物半导体的方法。最初执行的是制备籽晶衬底的步骤。然后通过采用包含至多0.01ppm硅、至多10ppm氧和小于0.04ppm锗的有机金属作为含III元素的材料，来执行在籽晶衬底上生长III－V族化合物半导体的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 化合物 半导体 方法 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用包含III族元素的材料，通过金属有机化学气相沉积制造III-V族化合物半导体的方法，包括以下步骤：制备籽晶衬底；和通过采用有机金属作为包含所述III族元素的所述材料，在所述籽晶衬底上生长所述III-V族化合物半导体，所述有机金属包含至多0.01ppm的硅、至多10ppm的氧和小于0.04ppm的锗。
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