[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体制造设备有效
| 申请号： | 200810087121.9 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101271835A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 井谷直毅 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法及半导体制造设备，该制造半导体器件的方法包括：将膜进行抛光，以及通过执行第一暴露步骤和第二暴露步骤对抛光表面进行清洗，其中该第一暴露步骤是将该抛光表面暴露至酸性的第一清洗液中，该第一清洗液具有蚀刻该抛光表面的至少部分区域的效果，以及该第二暴露步骤是在该第一暴露步骤之后，将该抛光表面暴露至碱性的第二清洗液中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 半导体 设备 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成膜；抛光该膜；以及通过执行第一暴露步骤和第二暴露步骤清洗通过抛光步骤形成的抛光表面，其中该第一暴露步骤是将该抛光表面暴露至酸性的第一清洗液中，该第一清洗液具有蚀刻该抛光表面的至少部分区域的作用，以及该第二暴露步骤是在该第一暴露步骤之后将该抛光表面暴露至碱性的第二清洗液中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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