[发明专利]缺陷知识库无效
| 申请号： | 200810087403.9 | 申请日： | 2001-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101246834A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 阿莫斯·多尔;马亚·拉德辛斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06Q50/00;G01N21/95 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 创建含有半导体晶片上晶片缺陷的研究案例信息的缺陷知识库的方法和相关装置。该方法包括创建一个数据库条目并且存储数据库条目以备以后访问，其中上述数据库条目含有一个指定缺陷的一个研究案例，上述研究案例包含缺陷信息而上述缺陷信息包括一或多个缺陷图像。数据库条目被存储在一个服务器上并且可以被多个客户端访问。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 知识库 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体加工系统中进行缺陷分析的方法，包括：从在第一客户端处的半导体加工系统中执行的集成电路制造过程收集缺陷信息；存储所述缺陷信息、所述缺陷信息中一个或多个缺陷的原因和排除所述一个或多个缺陷的解决方案；将所述缺陷信息、原因和解决方案传送到服务器并组织到该服务器上的多个数据库条目中；和由第二客户端访问由第一客户端创建的数据库条目，以便使用所访问的数据库条目来执行缺陷分析从而改进由第二客户端执行的半导体加工过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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