[发明专利]磁阻随机存取存储器装置与其切换方法与存储器阵列

摘要

本发明提供磁阻随机存取存储器装置与其切换方法与存储器阵列，即具有非正交切换写入线的一种双态模式磁阻随机存取存储器装置(双态MRAM装置)、切换此存储器装置的磁态的方法、以及此技术的存储器矩阵的布局方式。本发明以两条非正交的写入线切换双态MRAM装置的磁态，更以偏磁场降低切换所需的电流大小。由于偏磁场会改变作用磁场的角度，本发明将两条写入线以非正交方式布局，以补偿偏磁场对作用磁场的角度的影响。

主权项

1. 一种磁阻随机存取存储器装置，包括：第一写入线，依第一平面上的第一方向延伸；第二写入线，依第二平面上的第二方向延伸，该第二平面平行上述第一平面，其中该第二方向与上述第一方向不正交；以及磁阻存储单元，具有可切换磁态，设置于上述第一与第二写入线之间的交错区域中，该交错区域位于该第一与该第二平面之间，上述第一与第二写入线于该交错区域的投影彼此相交；其中，该第一写入线用于传递第一写入电流以提供该磁阻存储单元第一磁场，该第二写入线用于传递第二写入电流以提供该磁阻存储单元第二磁场；上述第一与第二磁场共同依照既定操作方式作用于该磁阻存储单元时，足以切换该磁阻存储单元的磁态；以及上述第一与第二写入线相对于该磁阻存储单元的磁异向性易磁化轴各具有小于45度的夹角。