[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810087495.0 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101277096A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 片冈伸一郎;矢野刚广 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/34;H01L27/06;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具备相位补偿用电路(6)，该相位补偿用电路使用了在形成在半导体衬底上的栅极电极和扩散层间具有绝缘膜的结构的MOS电容器，相位补偿用电路由第一MOS电容器及第二MOS电容器(14、15)构成。第一MOS电容器的栅极电极端子和第二MOS电容器的扩散层侧端子(与栅极电极端子相反的端子)等价地连接，第一MOS电容器的扩散层侧端子和第二MOS电容器的栅极电极端子之间连接利用电流流动而产生电位差的电位差产生元件(16)。当使用具有电压依存性的MOS电容器作为例如运算放大器的相位补偿用电路元件时，实现了这样的结构，运算放大器的输入或输出电压无论在何种电压区域，MOS电容值都不会减少且相位容限不会减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备相位补偿用电路，该相位补偿用电路使用了在形成在半导体衬底上的栅极电极和扩散层间具有绝缘膜的结构的MOS电容器，上述半导体器件的特征在于，上述相位补偿用电路由第一MOS电容器及第二MOS电容器构成，上述第一MOS电容器的栅极电极端子和上述第二MOS电容器的扩散层侧端子(与栅极电极端子相反的端子)被连接，在上述第一MOS电容器的扩散层侧端子和上述第二MOS电容器的栅极电极端子之间连接利用电流流动而产生电位差的电位差产生元件。
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