[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810087612.3 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101276825A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 长谷川昭博 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L23/00;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，对应光检测器的受光部，在层间绝缘膜上设置开口部。沿着受光部(4)和电路部(6)之间的边界，在布线构造层90内用金属材料形成包围开口部(120)的隔壁，该隔壁通过对配置在受光部(4)外周的分离区域(74)的多段构成的接触构造形成。具体地来说，在布线构造层(90)被层叠的各Al层(94、98、102)下的层间绝缘膜(92、96、100)上，沿着受光部(4)的外周形成沟槽(134)，在这些沟槽上埋入各Al层，形成沿着周边延长的塞子(136)。通过沿着外周配置的电极(130)使这些各层的塞子(136)连成纵向，构成壁。通过此隔壁，能够阻止从开口部壁面来的吸湿或光的侵入，抑制受光部周围的电路元件的特性变动或布线劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，在公共的半导体基板上邻接配置有受光部和电路部，具有：布线构造层，其层叠在上述半导体基板上并包括层间绝缘膜；上述布线构造层的开口部，其形成在上述受光部的位置；和隔壁，其沿着上述受光部和上述电路部之间的边界与上述开口部邻接而形成于上述布线构造层内，且由金属材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
