[发明专利]一种单质硅的制备方法有效
| 申请号： | 200810087750.1 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101545111A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 赵志强;姜占锋 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 崇;董占敏 |
| 地址： | 518119广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种单质硅的制备方法，该方法包括将电解阴极在熔融的电解质中电解还原，所述电解阴极为附着有阴极材料的难熔金属板，所述阴极材料含有二氧化硅，其中，所述阴极材料还含有硅酸盐。本发明提供的单质硅的制备方法中，通过使电解阴极的材料中含有具备粘结作用的硅酸盐，防止了电极制备时的脱粉现象；由于在电解还原过程中，硅酸盐会因为溶于电解质而脱离电解阴极，使二氧化硅阴极呈多孔结构，加快了电解质的扩散传质速度，从而提高了电解反应速度。因此，用本发明提供的方法可以制得纯度更高的硅，而且能够提高电流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单质 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单质硅的制备方法，该方法包括将电解阴极在熔融的电解质中电解还原，所述电解阴极为附着有阴极材料的金属板，所述阴极材料含有二氧化硅，其特征在于，所述阴极材料还含有硅酸盐。
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