[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810087967.2 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101276767A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 道前芳隆;杉山荣二;大谷久;鹤目卓也 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;H01L21/60;H01L21/00;G06K19/077
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 范征
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种高成品率地制造半导体装置的方法,该半导体装置不会因来自外部的局部挤压而破坏,可靠性高。本发明如下制造半导体装置:形成具有使用单晶半导体基板或SOI基板形成的半导体元件的元件基板,在元件基板上设置有机化合物或无机化合物的纤维体,通过自元件基板及纤维体上方涂布包含有机树脂的组合物,加热,从而在元件基板上形成有机树脂浸渍在有机化合物或无机化合物的纤维体的密封层。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在元件基板上设置纤维体,该元件基板具有有源元件;在所述元件基板上涂布包含有机树脂的组合物;以及通过对所述元件基板进行加热,形成包括所述纤维体和所述有机树脂的密封层。
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