[发明专利]薄膜蚀刻方法无效
| 申请号： | 200810088090.9 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101552181A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 王培章 | 申请（专利权）人： | 光联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜蚀刻方法，先利用紫外光透过光罩对基板上的光学树脂层进行曝光，再通过烘烤程序使已曝光的光学树脂层气化，而未曝光的部分留下来，然后形成薄膜填补于前述光学树脂层被气化处，再利用紫外光对光学树脂层进行全面曝光，也再通过高温烘烤使基板上的光学树脂层全部气化，留下需要的薄膜图形，在低设备与制造成本的情况下，提高薄膜蚀刻的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜蚀刻方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供基板(100)，且在所述基板(100)上均匀涂布光学树脂层(110)；利用紫外光(300)透过光罩(200)对所述光学树脂层(110)进行曝光；通过烘烤程序使所述光学树脂层(110)被紫外光(300)照射到的部分气化，未曝光的部分则留下来；接着于所述基板(100)的表面形成薄膜(120)，所述薄膜(120)填补于前述光学树脂层(110)被气化处及所述光学树脂层(110)的表面；接着再利用紫外光(300)对所述光学树脂层(110)进行全面曝光；以及再通过烘烤程序使所述基板(100)上附着的所述光学树脂层(110)气化，同时带走附于所述光学树脂层(110)表面的薄膜(120)，最后所述薄膜(120)留下需要的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
