[发明专利]半导体器件以及用于控制其图案的方法无效
| 申请号： | 200810088172.3 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101241303A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 朴俊洙;吕起成;郭判硕;赵汉九;李芝英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/66;H01L27/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及控制其图案的方法，其中可根据图案的临界尺寸(CD)，单独地控制由双图案化工艺形成的图案的电特性。该方法包括控制具有不同CD的两个或更多图案，从而最优地操作该图案。基于图案的CD，由提供给图案的信号单独地控制该图案。通过控制提供给各个图案的信号的大小和应用时间，控制该信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 控制 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制半导体器件的图案的方法，该方法包括：在第一次曝光中形成第一图案以及在第二次曝光中形成第二图案；测量该第一图案和该第二图案中每个的临界尺寸；根据该第一图案的临界尺寸控制对该第一图案的操作；以及根据该第二图案的临界尺寸控制对该第二图案的操作，其中该第一图案的临界尺寸与该第二图案的临界尺寸不同。
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