[发明专利]SOI基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810088335.8 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101290876A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;比嘉荣二;永野庸治;沟井达也;下村明久 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体基板中形成离子引入层；在所述半导体基板上，以有机硅烷为硅源气体通过化学气相沉积法形成氧化硅膜；将所述半导体基板介以所述氧化硅膜接合到基底基板；通过加热所述半导体基板在所述离子引入层分离所述半导体基板的一部分，在所述基底基板上形成半导体层；以及通过用激光束照射所述半导体层，使所述半导体层的至少一部分熔化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
