[发明专利]自适应和自校准的多级非易失性存储器有效
| 申请号： | 200810088444.X | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101290802A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王力 | 申请（专利权）人： | 弗拉什西利康股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种调整非易失性存储器单元的阈值电压的方法，包括：将与选择的阈值电压相应的选择的电荷放置在浮置栅极或电介质上；在电荷已经放置在浮置栅极或电介质上、并且与选择的阈值电压相应的电压已经被施加到控制栅极之后，测量来自该存储器单元的电流，该电荷被认为响应于施加到控制栅极的选择的阈值电压，允许单元导通；比较测量的电流与下述电流，当与期望的阈值电压相对应的电压被施加到非易失性存储器单元的控制栅极时，该电流应该流动；以及如果测量的电流在下述电流的范围外，当指定阈值电压被施加到控制栅极时，该电流应该从存储器单元流动，则调整在浮置栅极或电介质上的电荷，以将电流置于正施加到控制栅极的选择的阈值电压的期望范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 校准 多级 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种调整非易失性存储器单元的阈值电压的方法，该非易失性存储器单元具有浮置栅极或电介质、和控制栅极，该浮置栅极或电介质用于电荷的接收和存储以改变该单元的阈值电压，并且该控制栅极用于电压的接收，以当该控制栅极上的电压等于或超过该单元的选择的阈值电压时导通该单元，该方法包括：将与选择的阈值电压相对应的选择的电荷放置在所述浮置栅极或电介质上；在电荷已经放置在所述浮置栅极或电介质上、并且与所述选择的阈值电压相对应的电压已经被施加到所述控制栅极之后，测量来自该存储器单元的电流，该电荷被认为响应于施加到所述控制栅极的选择的阈值电压，允许单元导通；比较测量的电流与下述电流，当与期望的阈值电压相对应的电压被施加到所述非易失性存储器单元的控制栅极时，该电流应该流动；以及如果测量的电流在下述电流的范围外，当指定的阈值电压被施加到所述控制栅极时，该电流应该从存储器单元流动，则调整在浮置栅极或电介质上的电荷，以将所述电流置于正施加到所述控制栅极的选择的阈值电压的期望范围内。
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