[发明专利]半导体设备无效
| 申请号： | 200810088549.5 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276839A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 上田尚宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种不造成由于形成厚栅绝缘膜而导致的问题、且具有在高耐压器件中能适用的MOS晶体管的半导体设备。漏区域具备含有N－漏区域(3d)和N+漏区域(11d)的二重扩散结构。栅电极包括：第一栅电极(9)，在栅绝缘膜(7)上形成；第二栅电极(13)，经由栅电极间绝缘膜(11)形成在第一栅电极(9)上。第二栅电极(13)连接栅导线(13g)，第一栅电极(9)不连接栅导线(13g)。在栅绝缘膜(7)和N+源区域(11s)之间的半导体基板(1)的表面配置场绝缘膜(15)。第一栅电极(9)的漏区域侧的端部配置在场绝缘膜(15)上。施加到第二栅电极(13)的栅电压由栅绝缘膜(7)和栅电极间绝缘膜(11)分割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：第一导电型的半导体基板；以及金属氧化物半导体晶体管，构建在半导体基板上，所述金属氧化物半导体晶体管包括：第二导电型的源和漏电极，置于半导体基板的表面下，彼此分开地放置；沟道区域，在半导体基板表面下的源和漏电极之间；第一绝缘层，置于半导体基板上，覆盖源和漏电极及其间的沟道区域；以及栅电极，置于第一绝缘层，并连接至栅导线以接收栅电压，所述漏电极包括：第一漏区域，与沟道区域相分离，并与第一绝缘层相分离；以及第二漏区域，位于第一漏区域和沟道区域之间，具有在第一漏区域和第一绝缘层的边缘之间延伸的平表面，所述栅电极包括：第一栅层，位于第一绝缘层上，具有从上方观察与第一漏区域相间隔、且存在于第二漏区域之上的一个边缘，所述第一栅层与栅导线电气隔离；第二栅层，位于第一栅层之上，所述第二栅层与栅导线电气连接；以及绝缘层，位于第一栅层和第二栅层之间，且把第一栅层和第二栅层电气隔离。
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