[发明专利]薄膜晶体管的沟道层、薄膜晶体管及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200810088615.9 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101335301A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金善日;宋利宪;朴永洙;姜东勋;金昌桢;朴宰撤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 沟道 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于薄膜晶体管的包含掺杂有过渡金属的氧化铟锌的沟道层。
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