[发明专利]SOI基板的制造方法无效
| 申请号： | 200810088669.5 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286444A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 川合信;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;飞坂优二;秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;刘春生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板10，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为1×1018cm－3以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm－3以下的理由，是因为氧施体的形成程度与该晶格间氧浓度密切相关。若将结晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm－3以下，SOI基板的硅层(SOI层)的电特性(电阻率)的变动，能够抑制在实用上不会有问题的程度。如此的单晶硅基板，通过对硅熔液施加磁场来控制其对流的MCZ法、或是通过没有使用石英坩埚的FZ法，能够容易地获得。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基板的制造方法，其特征在于，包括：工序A，是从晶格间氧浓度为1×1018cm-3以下的单晶硅基板的主面，注入氢离子；工序B，是对透明绝缘性基板和上述硅基板的至少一方的主面，施行活化处理；工序C，是在室温下贴合上述透明绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面彼此之间；工序D，是将该贴合后的基板以350℃以上550℃以下的温度，进行热处理；以及工序E，是从上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述透明绝缘性基板的主面上，形成硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
