[发明专利]半导体层有效
| 申请号： | 200810089385.8 | 申请日： | 2004-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101257079A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 一之濑升;岛村清史;青木和夫;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 | 申请（专利权）人： | 株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋亭;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β－Ga2O3基板、在所述β－Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β－Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β－Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
1.发光元件，其特征在于包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。
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