[发明专利]晶体生长装置及方法无效
| 申请号： | 200810089545.9 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101555620A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | W·刘;G·A·艾里奥特 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;F27B14/04;F27B14/06 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种采用VGF和VB生长工艺进行晶体生长的系统和方法减少体嵌晶。在一个示例性的实施例中，提供一种将装有原材料的安瓿插入到具有加热源的炉中，采用垂直梯度凝固工艺生长晶体，其中所述结晶温度梯度可以相对于所述晶体和/或炉移动，从而熔化所述原材料并转化成单晶化合物，以及采用垂直布里奇曼工艺在坩埚上生长晶体，其中所述安瓿/加热源可以进行相对移动，以继续熔化所述原材料并转化成单晶化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶体生长的装置，包括：具有加热源以及可移动坩埚架的晶体生长炉，所述坩埚架支撑具有原材料并包含有籽晶的坩埚；以及耦合于所述晶体生长炉的控制器，所述控制器用于控制所述加热源以及所述可移动坩埚架，以便当在所述炉子中时，在所述坩埚中进行晶体生长工艺，其中可对所述加热源进行调整以使结晶温度梯度相对于所述静止的坩埚移动，从而熔化所述原材料并重新将其制成单晶化合物；以及在到达预定的晶体生长长度时，在所述坩埚上进行晶体生长工艺，其中所述坩埚相对于所述静止加热源移动，以便继续熔化所述原材料并将其转化为单晶化合物。
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