[发明专利]一种微通孔钨损失的解决方法无效
| 申请号： | 200810089726.1 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101552224A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 宋朝刚;钱晓春;孔亮;周浩 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑 光 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种微通孔钨损失的解决方法。现有技术中由于在金属蚀刻时活动区偏移会造成后续的蚀刻或清洗时微通孔中的钨被反应掉，从而影响金属的电性，造成残次品。本发明提出的方法中，在金属层蚀刻后先沉积一电介质层，然后再对电介质层回蚀。回蚀时由于spacer效应，会在金属图案的侧壁留下隔离物，隔离物能够保护微通孔使其中的钨不会被反应掉。本发明提出的方法能够有效的解决活动区偏移造成的微通孔中钨损失的问题，降低残次品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微通孔钨 损失 解决方法 | ||
【主权项】：
1、一种微通孔钨损失的解决方法，包括：步骤1、按预设图案蚀刻金属层；步骤2、在蚀刻后的表面沉积电介质层；步骤3、回蚀步骤2沉积的电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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