[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200810090065.4 | 申请日: | 2008-04-02 |
公开(公告)号: | CN101295692A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 藤原伸一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置,为了在连接具有小于等于50微米间距的微细间距电极的半导体元件和基板上的焊盘或布线的结构中,防止连接时的加热或担负荷重时发生的凸块间短路、基于高度畸变的连接部断裂,在本发明的半导体装置中,经由纵弹性系数(杨氏模量)大于等于65GPa且小于等于600GPa的凸块、和以锡、铝、铟、或铅的任意一种为主成分的缓冲层,连接所述基板和所述半导体元件,另外在凸块和设在基板上的焊盘或布线所相互对置的面的至少一方形成突起且利用超声波来连接这些面。 | ||
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【主权项】:
1.一种半导体装置,具有连接设在半导体元件上的小于等于50微米间距的微细间距电极、和设在搭载所述半导体元件的基板上的焊盘或布线的连接结构,该半导体装置的特征在于,所述连接结构具有如下的结构:一方与所述微细间距电极连接,另一方经由纵弹性系数即杨氏模量大于等于65GPa且小于等于600Gpa的凸块、和以锡、铝、铟、或铅中的至少一种为主成分的缓冲层与设在所述基板上的焊盘或布线连接,在所述凸块和设在所述基板上的焊盘或布线所对置的面的至少一方的面上具有突起形状。
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