[发明专利]抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法有效
| 申请号： | 200810090419.5 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101302346A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 沙赫罗赫·莫塔莱比;林相学 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08L83/14 | 分类号： | C08L83/14;C08L83/05;C09D183/14;C09D183/05;C08G77/50;C08G77/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法。本发明还涉及一种组合物，其包含共聚物，该共聚物含有具有结构(A)、(B)和(C)以及结构(D)或(E)之一或更多的单体单元的混合物：其中，a、b、c、d、e和f独立地为0至2，n是0至约10，R1是生色团，R2是亲水基团。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀乙 硅烷 饱和 烃桥接 聚合物 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，包含：含有具有结构(A)、(B)、和(C)以及结构(D)或(E)之一或更多的单体单元的混合物的共聚物：HSiO(3-a)/2(OH)a SiO(3-b)/2(OH)b-(CH2)n-SiO(3-c)/2(OH)c R1SiO(3-d)/2(OH)d (A) (B) (C)MeSiO(3-e)/2(OH)e R2SiO(3-f)/2(OH)f (D) (E)其中：a、b、c、d、e和f独立地是0至2，n是0至约10，R1是生色团，和R2是亲水基团。
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