[发明专利]沟槽金属氧化物半导体有效
| 申请号： | 200810090494.1 | 申请日： | 2008-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101295712A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 德瓦·N·帕塔那亚克;凯尔·特里尔;沙伦·史;米沙·李;白玉明;卡姆·刘;陈阔银 | 申请（专利权）人： | 维税－希力康克斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L21/82;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 采用了与沟槽金属氧化物半导体(MOS)势垒肖特基(TMBS)器件的多晶硅区域以及与单片集成的TMBS和MOSFET(SKYFET)器件中的MOS场效应晶体管(MOSFET)部分和TMBS部分的多晶硅区域的远程接触。所述多晶硅相对于相邻的台面结构是凹陷的。通过使所述多晶硅延伸至TMBS部分的有源区的外部，使得源极金属与TMBS部分的所述多晶硅区域接触。器件结构中的所述改变消除了在接触步骤之前从TMBS部分的多晶硅和硅台面结构区域除去所有氧化物的必要。因此，避免了接触金属侵入TMBS器件或SKYFET器件中的沟槽的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种包含沟槽金属氧化物半导体(MOS)势垒肖特基(TMBS)器件的半导体器件，所述TMBS器件包括：在其中形成有多个第一沟槽的衬底，其中在所述第一沟槽中沉积有导电材料；和源极金属层；所述TMBS器件具有有源区，其中在所述有源区内，所述源极金属层与所述衬底电接触但是与布置在所述第一沟槽内的所述导电材料相隔离，其中在所述第一沟槽内的所述导电材料电耦合于所述TMBS器件的所述有源区之外的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
