[发明专利]半导体设备及切换半导体设备的驱动能力的方法无效
| 申请号： | 200810090573.2 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281905A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 沖井理典 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03K19/0185;G11C16/06;G05F1/56;G06F13/00;H04L25/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 胡琪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种连接到其他半导体设备的半导体设备，包括控制部分，该控制部分基于其他半导体设备的控制信息，控制对于其他半导体设备的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 切换 驱动 能力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种连接到其他半导体设备的半导体设备，包括：控制部分，其基于其他半导体设备的控制信息，控制对于其他半导体设备的驱动能力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
