[发明专利]半导体元件及制造方法有效
| 申请号： | 200810090722.5 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101290910A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | P·文卡特拉曼;G·M·格利弗纳;F·Y·罗伯;G·常;C·卡斯蒂尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/762;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种抵抗寄生双极晶体管的形成的半导体元件和使用数量减少的掩模步骤来制造该半导体元件的方法。提供了具有P型传导性的区域的N型传导性的半导体材料。N型传导性的掺杂区在P型传导性的区域内形成。沟槽在半导体材料中形成并延伸通过N型和P型传导性的区域。场氧化物由半导体材料形成，以使沟槽的部分延伸到场氧化物之下。场氧化物在形成源极区时用作注入掩模。体接触区由半导体材料形成，以及形成与源极区和体区接触的电导体。形成与半导体材料的背面接触的电导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体元件的方法，包括：提供具有主表面的半导体材料；在所述半导体材料中形成一个或更多沟槽；以及由所述半导体材料的周边区形成场氧化物，其中所述一个或更多沟槽延伸到所述场氧化物之下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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