[发明专利]制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法

摘要

本发明公开了一种制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法。该方法包括：形成隧穿层、电荷俘获层、阻挡层及控制栅电极层于基板上方；形成掩模层图案于该控制栅电极层上；使用该掩模层图案作为蚀刻掩模来进行蚀刻工艺，以移除该控制栅电极层的暴露部分，其中以过度蚀刻进行该蚀刻工艺，以将该电荷俘获层移除一特定厚度；形成用以阻挡电荷移动的绝缘层于该控制栅电极层及该掩模层图案上；在该绝缘层上进行各向异性蚀刻，以形成绝缘层图案于该控制栅电极层的侧壁及该阻挡层的部分上侧壁上；以及在通过该各向异性蚀刻所暴露的阻挡层上进行蚀刻工艺，其中以过度蚀刻进行该蚀刻工艺，以将该电荷俘获层移除一特定厚度。

主权项

1.一种制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法，包括：形成隧穿层、电荷俘获层、阻挡层及控制栅电极层于基板上方；使用掩模层图案作为蚀刻掩模来进行第一蚀刻工艺，以移除该掩模层图案所暴露的控制栅电极层及亦将该阻挡层移除一特定厚度；形成绝缘层于该第一蚀刻工艺所暴露的控制栅电极层的侧壁及阻挡层的侧壁上；以及使用该掩模层图案及该绝缘层作为蚀刻掩模来进行第二蚀刻工艺，以移除该阻挡层的暴露部分。