[发明专利]基于氢化硅的薄膜本征层、薄膜太阳能电池及制造方法无效
| 申请号： | 200810091631.3 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101556972A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;杨与胜 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;张 波 |
| 地址： | 362000福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氢化硅的薄膜本征层(i层)、包括其的薄膜太阳能电池及制造方法，改进了氢化非晶硅薄膜太阳能电池的稳定性。在使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)生成的p-i-n型非晶硅太阳能电池中，非晶硅吸收层(i层)具有超晶格结构，超晶格中的每个2-26纳米厚的子层硅膜的生长分别在氢气中度和高度稀释的硅烷条件下完成，从而使i层由多个非晶硅子层与多个准纳米硅子层交替连续沉积而成。这种由不同子层叠加而成的非均匀的i层具有良好的光电转换能力，特别是这种i层结构极有助于p-i-n型光伏器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氢化 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜本征i层，包括如下两组交替叠加的子层：非晶硅子层；以及准纳米硅子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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