[发明专利]氟掺杂的氧化锡膜、提升其光电特性的方法和装置无效
申请号: | 200810091634.7 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101556979A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 李沅民;杨与胜 | 申请(专利权)人: | 福建钧石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;张 波 |
地址: | 362000福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种氟掺杂的氧化锡膜以及提升其光电特性的方法和装置。所述氟掺杂的氧化锡膜沉积在基板上。所述提升氟掺杂的氧化锡膜的光电特性的方法包括步骤:在包括氧气和含氟气体的热压处理室内对所述氟掺杂的氧化锡膜进行热压处理。该方法简单且有效,与热压处理前相比,SnO2:F的光透射率提高了,而其电导率无明显下降。这种改善后的形成在基板上的SnO2:F可以用来生产具有更高的光电流密度和光电转换效率的薄膜型太阳能光伏器件和大型模板。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 氧化 提升 光电 特性 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种提升氟掺杂的氧化锡膜的光电特性的方法,所述氟掺杂的氧化锡膜沉积在基板上,所述方法包括步骤:在包括氧气和含氟气体的热压处理室内对所述氟掺杂的氧化锡膜进行热压处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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