[发明专利]标准单元和具有该标准单元的半导体装置有效
| 申请号： | 200810091823.4 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281906A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 尾添律子;谷口博树;西村英敏;田丸雅规;近藤英明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种标准单元，其中，信号布线(11)沿第一方向延伸。信号布线(12、13)沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线(11)而对置。并且，信号布线(12、13)的布线宽度比信号布线(11)的布线宽度大。由此，对被布线端夹持的信号布线，防止由细部引起的断线，实现器件的制造成品率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 单元 具有 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种标准单元，用于构成半导体装置，布线间距在170nm以下，该标准单元包括：第一信号布线，其形成于第一布线层，并沿第一方向延伸；和第二和第三信号布线，形成于所述第一布线层，沿实质上与所述第一方向垂直的第二方向延伸，并隔着所述第一信号布线而对置；所述第二和第三信号布线中的至少一方的布线宽度比所述第一信号布线的布线宽度大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810091823.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
