[发明专利]半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。

主权项

1.一种电容器结构，其特征在于包括：衬底；薄膜电容器，其包括至少三个电极层和设置于所述至少三个电极层中的每相邻两个电极层之间的介电膜，所述至少三个电极层和所述介电膜堆叠于该衬底上；以及一对第一焊盘电极和第二焊盘电极，该第一焊盘电极和第二焊盘电极以预定间隔彼此隔开并用作该薄膜电容器的外部连接端子，其中该第一焊盘电极电连接至从该衬底侧计数的所述至少三个电极层中的多个奇数电极层；该第二焊盘电极电连接至从该衬底侧计数的所述至少三个电极层中的一个或多个偶数电极层；以及在该第一焊盘电极与该第二焊盘电极之间并联连接基本上具有相同电容的叠置电容器。