[发明专利]含噻唑环合成物、聚合物、有源层、晶体管、器件及制法有效
| 申请号： | 200810092029.1 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101255156A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李芳璘;李恩庆;金周永;韩国珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C07D417/04 | 分类号： | C07D417/04;C07D417/14;C08G61/12;H01L51/00;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种合成物，该合成物在聚合物主链上除了含有显示p－型半导体性能的噻吩以及显示n－型半导体性能的噻唑环之外，还包含显示p－型半导体性能的杂亚芳基或亚芳基，包含该合成物的有机半导体聚合物，包含该有机半导体聚合物的有机有源层，包含该有机有源层的有机薄膜晶体管OTFT，包含该OTFT的电子器件，以及它们的制备方法。用于有机半导体聚合物并且包含噻唑环的示例性具体实施方案的合成物，其可以显示出增加的对有机溶剂的溶解度、同面性、可加工性以及改善的薄膜性能。 | ||
| 搜索关键词： | 噻唑 环合 聚合物 有源 晶体管 器件 制法 | ||
【主权项】：
1.一种合成物，包含：被隔离基D1分开的两个噻唑环并且由下式1表示：[式1]![]()
其中R2是氢，羟基，直链、支链或环状的C1-20烷基，C1-20烷氧基烷基，或直链、支链或环状的C1-16烷氧基；且D1是C2-20杂亚芳基或C6-30亚芳基。
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