[发明专利]混合闪存装置、存储系统以及控制误差的方法无效

专利信息
申请号: 200810092059.2 申请日: 2008-01-04
公开(公告)号: CN101256843A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 裵壹万 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C7/10;G06F11/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种混合闪存装置、存储系统以及控制误差的方法。混合闪存装置包括:数据存储块,具有闪存单元的第一和第二数据存储区域;以及误差控制块,实现第一误差控制方案和第二误差控制方案,使得指向存储在第一数据存储区域的数据的数据存取操作选择第一误差控制方案,而指向存储在第二数据存储区域的数据的数据存取操作选择第二误差控制方案。
搜索关键词: 混合 闪存 装置 存储系统 以及 控制 误差 方法
【主权项】:
1、一种具有误差控制和纠正(ECC)能力的混合闪存装置,并且包括:控制块,响应外部提供的命令;数据存储块,包括具有第一闪存单元的第一数据存储区域和具有第二闪存单元的第二数据存储区域,其中所述第一闪存单元和第二闪存单元在每个存储单元存储不同的数据比特数;和误差控制块,包括用以实现第一误差控制方案的第一ECC块和用以实现第二误差控制方案的第二ECC块,其中所述命令指明指向存储在第一数据存储区域中的数据的数据存取操作,控制块选择第一ECC块的操作,使得误差控制块根据第一误差控制方案进行操作,并且其中所述命令指明指向存储在第二数据存储区域中的数据的数据存取操作,控制块选择第二ECC块的操作,使得误差控制块根据该第二误差控制方案进行操作。
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