[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体衬底，包括一第一型阱和一第二型阱；多个结区，位于该第一型阱和一第二型阱之间，其中每个结区位于该第一型阱和该第二型阱之间，且紧邻该第一型和第二型阱；一栅极，设置于该半导体衬底上，且该栅极位于所述这些结区的至少二者之上；以及一源极和一漏极，设置于该栅极两侧的该半导体衬底中。相较于传统的半导体元件，利用实施例所制作的半导体元件，约可提升30％以上的栅极操作电压范围。再者，由于实施例的半导体元件的制造方法不需额外增加工艺步骤，因此可使用与现有技术实质上相同的制造流程，而不会增加制造成本。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的半导体装置的制造方法包括：提供一半导体衬底；形成一第一型阱于所述半导体衬底中；以及形成一第二型阱和多个结区于所述半导体衬底中，其中所述这些结区的每一个位于所述第一型阱和所述第二型阱之间，且紧邻所述第一型阱和所述第二型阱。