[发明专利]一种制备高频软磁薄膜的方法及装置无效
| 申请号： | 200810092468.2 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101260514A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 薛德胜;范小龙 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在位制备高频特性可调的软磁薄膜的方法及装置。本发明的方法所采用的是现有技术的射频磁控溅射法，但在进行溅射磁性金属材料的同时，还在基片上溅射少量的非磁性金属材料。本发明中溅射到基片上的非磁性金属与磁性金属之原子百分比为3～20。本发明所使用装置除溅射靶外，其余与现有的射频溅射装置完全相同，本发明所采用的溅射靶材为复合靶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高频 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制备软磁薄膜的方法，采用射频磁控溅射法，其特征是在基片上溅射磁性金属靶材的同时还在基片上溅射少许非磁性金属材料，其中溅射到基片上的非磁性金属与溅射的磁性金属之原子百分比为3～20。
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