[发明专利]片上变压器布置无效
申请号: | 200810092531.2 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101290932A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | O·希德里;R·C·塔夫脱 | 申请(专利权)人: | 美国国家半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01F38/14 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种集成电路,其需要片上端接电阻器来最小化来自外部信号源所供给的输入信号的反射。在充当集成电路的输入端子的两个接合焊盘之间施加输入信号。第一接合焊盘通过第一片上电感器耦合到第一片上端接电阻器。第二接合焊盘通过第二片上电感器耦合到第二片上端接电阻器。这两个片上电感器以相对于施加的输入信号而言的互感是负值的变压器配置来布置。在操作过程中,该片上变压器布置有效地将共模信号短路到片上端接电阻器并有效地将差模信号与片上端接电阻器阻隔开。有效带宽和共模抑制性能利用上述的片上变压器布置而得到了改善。 | ||
搜索关键词: | 变压器 布置 | ||
【主权项】:
1.一种布置成接收输入信号的集成电路布置,其中所述输入信号包括共模部分和差模部分,所述集成电路包括:第一接合焊盘,其被耦合到所述集成电路的第一端口;第二接合焊盘,其被耦合到所述集成电路的第二端口,其中所述第一端口和所述第二端口被布置成接收所述输入信号;第一端接阻抗,其被耦合在第一节点和公共节点之间;第二端接阻抗,其被耦合在第二节点和所述公共节点之间,其中所述公共节点被布置为接地参考电位;片上变压器布置,其包括耦合在所述第一接合焊盘和所述第一节点之间的第一电感器以及耦合在所述第二接合焊盘和所述第二节点之间的第二电感器,其中所述第一电感器与所述第二电感器互感耦合,所述片上变压器被布置成使得所述输入信号的所述共模部分通过所述第一和第二电感器被有效地经由所述第一和第二端接阻抗短路到所述接地参考电位,并且所述片上变压器还被布置成使得所述输入信号的所述差模部分有效地与所述第一和第二端接电阻器阻隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国国家半导体公司,未经美国国家半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810092531.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的