[发明专利]三族氮化合物半导体发光组件的制造方法及其结构无效
| 申请号： | 200810092845.2 | 申请日： | 2008-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101572283A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 涂博闵;黄世晟;林文禹;徐智鹏;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;刘春生 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其包含下列步骤：于一原始基板的表面生长一第一三族氮化合物半导体层；于该第一三族氮化合物半导体层形成一外延阻断层；于该外延阻断层及无覆盖的该第一三族氮化合物半导体层上生长一第二三族氮化合物半导体层；移除该外延阻断层；于该第二三族氮化合物半导体层上生长一第三三族氮化合物半导体层；于该第三三族氮化合物半导体层上沉积一导电材料层；以及将该第三三族氮化合物半导体层及其上结构从该第二三族氮化合物半导体层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 发光 组件 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，包括下列步骤：于一原始基板的表面生长一第一三族氮化合物半导体层；于该第一三族氮化合物半导体层上形成一图案化的外延阻断层；于该外延阻断层及无覆盖的该第一三族氮化合物半导体层上生长一第二三族氮化合物半导体层；移除该外延阻断层；于该第二三族氮化合物半导体层上生长一第三三族氮化合物半导体层；于该第三三族氮化合物半导体层上形成一导电材料层；以及将该第三三族氮化合物半导体层及导电材料层从该第二三族氮化合物半导体层分离。
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