[发明专利]形成浅槽隔离区的方法有效
| 申请号： | 200810093278.2 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101515560A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;张致祥;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种形成浅槽隔离区的方法，此方法包括提供一半导体基材，其中半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中此开口从前述的上表面延伸至半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入前述的开口中；对介电材料进行一第一处理步骤，其中第一处理步骤提供一能量足以破坏介电材料的多个键结；以及对介电材料进行一蒸汽退火步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成浅槽隔离区的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体基材，其中该半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中该开口从该上表面延伸至该半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入该开口中；对该介电材料进行一第一处理步骤，其中该第一处理步骤提供一能量足以破坏该介电材料的多个键结；以及对该介电材料进行一蒸汽退火步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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