[发明专利]快闪存储装置的控制电路与操作快闪存储装置的方法无效
| 申请号： | 200810093323.4 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101295542A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 朱锡镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种操作快闪存储装置的方法，该快闪存储装置具有第一区域及第二区域，其中，该第一区域的编程状态及擦除状态与该第二区域的编程状态及擦除状态相反。该方法包括：接收编程命令；当该所接收的编程命令是用以编程该第二区域的命令时，反相该编程数据；以及将该反相编程数据编程至该第二区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 控制电路 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作快闪存储装置的方法，该快闪存储装置具有第一区域及第二区域，该方法包括：接收编程命令，编程数据与该编程命令相关；如果该所接收的编程命令是用以编程该第二区域的命令，则反相该编程数据；以及将该反相编程数据编程至该第二区域中，其中，第一状态表示在该第一区域中的编程状态及在该第二区域中的擦除状态，以及第二状态表示在该第一区域中的擦除状态及在该第二区域中的编程状态。
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