[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810093595.4 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101295687A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 武藤邦治;波多俊幸;佐藤仁久;冈浩伟;池田靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：半导体芯片，安装在引线框的芯片焊盘部上，并密封在树脂封装中；以及从所述树脂封装露出的所述引线框的外引线部，其中所述引线框具有栅极引线、源极引线、漏极引线、以及与所述漏极引线集成的所述芯片焊盘部，其中所述半导体芯片在其主表面上具有：栅极焊盘，耦合至功率MOSFET的栅电极；和源极焊盘，耦合至所述功率MOSFET的源极且具有比所述栅极焊盘大的面积，其中所述半导体芯片的背面形成所述功率MOSFET的漏极，所述半导体芯片的背面利用Ag浆料键合到所述芯片焊盘部，并且其中所述源极引线和所述源极焊盘经由Al带耦合。
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