[发明专利]包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构与其形成方法无效
| 申请号： | 200810094253.4 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295709A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 林殿方;杨文焜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构与其形成方法，涉及半导体堆栈封装结构。解决了现有技术中在晶粒导电垫上进行打线时，易导致晶粒产生微破裂的技术问题。本发明包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构中弹性黏胶层涂布设于第一晶粒上，覆盖第一晶粒顶部表面，除于第一导电垫上形成一开口，在第一晶粒边缘形成一外围。本发明包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构的形成方法用于制造所述本发明包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构。本发明主要应用于半导体晶粒堆栈封装技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 缓冲 晶粒 堆栈 封装 结构 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构，其特征在于，包含：一基材，包含复数导电垫；一第一晶粒，包含一第一导电垫，附接于所述基材上；一第一导线，电连接于所述导电垫与所述第一导电垫；一弹性黏胶层形成于所述第一晶粒上，所述弹性黏胶层包含复数开口，并覆盖所述第一晶粒顶部表面，除所述第一导电垫上开口处外，于所述第一晶粒边缘，形成一外围；一第二晶粒，包含一第二导电垫，设置于所述弹性黏胶层上；一第二导线，电连接于所述导电垫与所述第二导电垫；与一保护层包覆所述第一晶粒，所述第二晶粒、所述导电垫、所述第一导线、所述第二导线。
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