[发明专利]矩形基座的不对称接地

摘要

本发明提供了在等离子体处理腔室(40)使用的接地基座(72)，其用于在支撑在该基座上并通过该基座接地的大矩形面板(74)上进行化学气相沉积。多个接地片(86)连接在基座的外围和接地真空腔室之间以缩短RF电子的接地路径。柔性片允许基座垂直移动。所述片提供围绕所述外围不对称的接地电导。所述片可均匀隔开但具有不同厚度或不同形状或从可用的接地点移除，由此提供不同RF电导。选择该不对称以改善沉积均匀性和PECVD所沉积膜的其他质量。

主权项

1.一种等离子体处理腔室，包括：包括侧壁和后壁的腔室；所述腔室内的第一电极；所述腔室内的第二电极，该第二电极与第一电极相对，并配置为与被处理的矩形衬底并列；以及多个导电片，其将所述第二电极的外围连接到预定电势的主体，并对围绕该外围的主体产生不对称接地电导。