[发明专利]高频开关电路装置

摘要

本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过，由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外，由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。

主权项

1. 一种高频开关电路装置，其特征在于：包括：半导体衬底，具有P型衬底区域；P沟道型FET，设置在所述P型衬底区域，具有源极、漏极、栅极和N型势阱，具有高频开关元件功能；电压供给节点，与所述N型势阱连接，用于向所述N型势阱供给电压信号；和高频信号分离单元，设置在所述N型势阱与电压供给节点之间，用于将在所述N型势阱与所述电压供给节点之间传输的信号的高频成分分离；所述源极的电极、所述漏极的电极以及所述栅极的电极，与所述N型势阱的电极分离，所述源极的电极与信号输入端子连接，所述漏极的电极与信号输出端子连接。