[发明专利]相变存储器件、使用其的存储系统和读取存储器件的方法有效
| 申请号： | 200810094944.4 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101354915A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 郑椙旭;郑基泰;金亨俊;高昇必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C11/56;G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 使用 存储系统 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到所述存储器件的导通线，所述导通线用于在所述编程操作中施加所述编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻；以及修改电路，修改用于读取操作而选择的所述多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近所述初始电阻。
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