[发明专利]等离子处理设备及其制作方法无效
| 申请号： | 200810094984.9 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101296549A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 日野守;真弓聪;伊藤巧;上原刚;大野毅之 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子处理设备及其制作方法，其中传导元件51相对电极结构30设置在与物体W相对的边上。传导元件51电接地。绝缘装置45插在电极结构30和传导元件51之间。绝缘装置45分为第一绝缘部分41和第二绝缘部分42。第一绝缘部分41形成与电极之间的所述等离子化空间30a的下游相连的引出路径40a，第二绝缘部分42相对第一绝缘部分41被分离设置在与引出路径40a相对的边上，第一和第二绝缘部分41、42可彼此分离，如果第一绝缘部分41被损坏，只简单的对第一绝缘部分41进行更换，而没有必要更换整个绝缘装置45，只有第一绝缘部分41由等离子电阻高于第二绝缘部分42的材料构成，其结果是可大大降低材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于通过等离子化处理气体并将所述等离子化气体喷射到待处理的物体上以进行等离子处理的设备，所述等离子处理设备的特征在于其包括：由用于形成所述等离子化空间的一对电极组成的电极结构；设置成以遮蔽所述电极结构的朝向所述物体的侧面的电接地的传导件；以及介于所述电极结构和所述传导件之间并设置成以使其彼此绝缘的绝缘装置，所述绝缘装置分成包括用于形成连接到所述等离子化空间的下游的处理气体引出路径的表面的第一绝缘部分，以及分离设置在所述第一绝缘部分的所述引出路径侧的相反侧上并彼此分离的第二绝缘部分。
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