[发明专利]用水蒸汽和稀释气体增强的氢灰化

摘要

本发明公开了一种特别适用于基于氢化的氧碳化硅的低介电常数材料的无氧的氢等离子体灰化工艺。主要的灰化步骤包括将事先被刻蚀的电介质层暴露于从氢气(50)、可选的氮气(54)、大量的水蒸汽(60)、和大量的氩气(80)或氦气形成的等离子体(48)。尤其是对于多孔低介电常数电介质，主要的灰化等离子体额外地包括碳氢化合物气体(84)，例如甲烷。在主要的灰化步骤之前可以有一个短时间的表面处理步骤，这通过含有诸如氢气和可选的氮气的含氢还原气体的等离子体来实现。

主权项

1.一种灰化工艺，包括将主要灰化气体的等离子体施加于衬底的主要灰化步骤，其中所述主要灰化气体包括：第一量的选自氢气和氨气的还原气体；大于第一量的第二量的水蒸气；大于第二量的第三量的选自氩气和氦气的稀释气体，且不含有有效量的氧气。