[发明专利]半导体处理用的热处理方法和装置有效
| 申请号： | 200810095113.9 | 申请日： | 2008-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101256957A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 柴田哲弥;梅泽好太;池内俊之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化。接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体处理中形成氧化膜的热处理方法，其特征在于，包括：在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板的工序，其中，所述被处理基板在表面具有处理对象层；向所述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时对所述处理区域进行加热，由此使所述氧化性气体和所述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用所述氧活性种和所述羟基活性种对所述被处理基板上的所述处理对象层进行氧化的工序；和在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中对所述氧化后的所述处理对象层进行加热，由此对所述处理对象层进行退火的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
