[发明专利]通过脉冲VHF操作的等离子体类型和均匀性控制无效
| 申请号： | 200810095184.9 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101369518A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·帕特森;瑟多若斯·帕纳果泊洛斯;瓦伦顿·N·图杜罗;布莱恩·K·海彻尔;丹·卡兹;爱德华·P·哈蒙德四世;约翰·P·霍兰德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H05H1/46;H05H1/02;H01J37/32;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供通过脉冲VHF操作的等离子体类型和均匀性控制。一种用于处理衬底的装置具有室、高频功率源和低频功率源。该室内具有第一和第二电极。该高频功率源电性耦合至第一或第二电极，以提供第一RF信号。该低频功率源电性耦合至第一或第二电极，以提供第二RF信号。启动或关闭该第一RF信号，以便增强该室中的电子损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 脉冲 vhf 操作 等离子体 类型 均匀 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理衬底的装置，包括：具有设置在其中的第一和第二电极的室；电性耦合至第一或第二电极的高频功率源，以提供第一RF信号；电性耦合至第一或第二电极的低频功率源，以提供第二RF信号；其中该第一RF信号具有变化的振幅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810095184.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：RGB到RGBW的颜色分解方法和系统
- 下一篇：磷脂共聚物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
