[发明专利]与非门型非易失性存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 200810095435.3 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101567215A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 翁伟哲;洪至伟;陈政玮 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/30;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种与非门型非易失性存储器，具有多条位线与虚拟位线。每一位线与第一选择栅极线、多条字符线及第二选择栅极线的交点对应一个存储单元行，虚拟位线与第一选择栅极线、多条字符线及第二选择栅极线的交点对应一个虚拟存储单元行。源极线设置于多个存储单元行的一侧的基底上，其中由虚拟存储单元行及虚拟位线作为连接源极线的电流通路。 | ||
| 搜索关键词： | 与非门 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种与非门型非易失性存储器，包括多个存储单元阵列，各个存储单元阵列包括：一第一选择栅极线、多条字符线与一第二选择栅极线，平行设置于一基底上，并往一第一方向延伸；多条位线与一虚拟位线，平行设置于该基底上，并往一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错，其中每一所述位线与该第一选择栅极线、所述字符线及该第二选择栅极线的交点对应一存储单元行，该虚拟位线与该第一选择栅极线、所述字符线及该第二选择栅极线的交点对应一虚拟存储单元行；多个漏极区，分别设置于所述存储单元行与该虚拟存储单元行的一第一侧的该基底中，所述漏极区分别电性连接所述位线与该虚拟位线；多个源极区，分别设置于该存储单元行与该虚拟存储单元行的一第二侧的该基底中；以及一源极线，设置于该存储单元行的该第二侧的该基底上，往该第二方向延伸并电性连接所述源极区，其中该虚拟存储单元行及该虚拟位线作为连接该源极线的电流通路。
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